Atlas DCA55 examinador de semiconductores

*** CARACTERÍSTICAS: identificación automática de componentes identificación automática de pines de conexión identificación de características especiales como detección de diodos de protección y detección de resistencias de derivación transistores bipolares: medición de la ganancia de corriente y corriente de fuga, detección de diodos de silicio y germanio medición de voltaje umbral para enriquecimiento MOSFET medición de voltaje delantero para diodos, LED y uniones base Transmisor de transistor ter automático y manual extensor Especificación Resumen a 68.0 °F (68 °F) a menos que se especifique lo contrario cortocircuito corte de corriente máxima: -5,5 mA hasta 5,5 mA Voltaje máximo de cortocircuito permanente: -5,1 V hasta 5,1 V transistor: rango de ganancia (HFE): 4 - 65,000 Precisión de ganancia: ± 3% ± Tensión máxima colector-emisor (VCEO): 2,0 V - 3,0 V de precisión de voltaje base-emisor VBE: -2% -20 mV hasta +2% + 20 mV voltaje de emisor base VBE para transistor Darlington (derivado): 0,95 V - 1,80 V (0,0. 75 V - 1.80 V) umbral de resistencia de derivación del emisor base: 50 kΩ - 70 kΩ corriente del colector BJT: 2,45 mA - 2,55 mA Corriente de fuga aceptable BJT: 0,7 mA MOSFET: Gama de voltaje de la fuente de la puerta: 0,1 V - 5,0 V precisión de solo él: -. 2% -2 0 mV hasta+2% + 20 mV corriente de drenaje: 2,45 mA - 255 mA resistencia de la puerta: 8 kΩ agotamiento corriente de drenaje: 4,5 mA corrientes de drenaje JFET: 0,5 mA - 5,5 mA tiristor/Triac: corriente de compuerta: 4,5 mA Retención : 5.0 Diodo mA: corriente de prueba: 5.0 mA Precisión de voltaje: -2% -20 mV hasta +2% + 20 mV voltaje directo para identificación LED: 1.50 V - 4.00 V umbral de cortocircuito: batería de 10 Ω: tipo: MN21 / L1028 / GP23A 12 V alk. Rango Aline. Voltaje: 7. Umbral de alarma de 50 V - 12 V: 8,25 V. Dimensiones: 4.055 x 2.756 x 0.787 in (4,1 x 2,8 x 0,8 pulgadas). Peso por producto (neto): 0.098 kg (3.5 oz). Temperatura de trabajo: 32.0 °F ~ 122.0 °F (32F ~ 122F)

Identificación automática de componentes, identificación automática de pines de conexión, identificación de características especiales como detección de diodos de protección y detección de resistencias de derivación. Transistores bipolares: medición de ganancia de corriente y corriente de fuga, detección de diodos de silicio y germanio, medición del voltaje umbral para enriquecimiento, medición de voltaje directo para diodos, LEDs y uniones base-emisor de transistores Resumen de especificaciones a 20°C (68°F) a menos que se especifique lo contrario Corte de corriente pico de cortocircuito: -5,5 mA hasta 5,5 mA Voltaje pico de cortocircuito permanente: -5,1 V hasta 5,1 V Transistor:

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